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一种均三嗪基修饰的空心介孔二氧化硅及其制备方法和应用
专利类别
发明授权
申请号
CN202011247501.1
申请日期
2020-11-10
第一发明人
张欣; 卢治国; 张田露; 王建泽; 阳俊; 李燕
专利授权日期
2023-10-20
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