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高度双重有序宏孔/介孔TiO2薄膜及其制备方法
专利类别
发明授权
申请号
CN201010617896.X
申请日期
2010/12/22
第一发明人
王丹; 杜江; 赖小勇; 毛丹
专利授权日期
2014/7/30
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